Spain – Microelectronic machinery and apparatus – Adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas (ALD) de óxido de aluminio, óxido de titanio y óxido de hafnio

La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a técnicas de depósito químico en fase vapor (CVD). Se dispone de equipos de depósito químico de vapor mejorados con plasma cuales ofrecen películas delgadas dieléctricas amorfas. El proceso ALD consiste en el crecimiento de una película delgada por capas atómicas consecutivas. El hecho de disponer de un equipo ALD que además de aumentar la capacidad de fabricación, ofrecerá uniformidad y conformidad de la película en cualquier escala y tendría un claro impacto sobre la calidad de la investigación realizada al igual que sobre las capacidades ofertadas por el Instituto NTC sería muy alto. ALD es la técnica más avanzada en recubrimiento de película delgada debido al control preciso del espesor de película (nm) que ofrece. Las películas producidas por esta técnica son densas, sin poros y sin defectos, y las condiciones en las que se lleva a cabo el proceso, 1-10 hPa 200-400ºC, son lo suficientemente suaves para ser utilizada con sustratos sensibles. Este tipo de proceso es fundamental también a la hora de trabajar con clientes externos y suministrar controles de calidad y especificaciones técnicas de los dispositivos fabricados. A medida que la industria de los semiconductores sigue evolucionando, el tamaño cada vez más fino de los dispositivos hace que sea especialmente importante encontrar o desarrollar técnicas más avanzadas de crecimiento de películas finas que requieran baja temperatura, una gran precisión en el espesor de la película y una excelente conformabilidad en estructuras tridimensionales (3D). Por tanto, este centro carece de equipamiento necesario que permita asegurar la calidad y cumplimiento de especificaciones a nivel nanométrico durante el proceso de fabricación. Para suplir estas carencias, se solicita la adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas de varios óxidos.