Poland – Diffraction apparatus – Dostawa zestawu dwóch orientometrów rentgenowskich zaprojektowanych specjalnie do pomiarów podłoży lub kryształów objętościowych, takich jak azotek galu (GaN), węglik krzemu (SiC) i podobnych.

PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION Przedmiotem zamówienia jest: Dostawa zestawu dwóch identycznych orientometrów rentgenowskich zaprojektowanych specjalnie do pomiarów podłoży lub kryształów objętościowych, takich jak azotek galu (GaN), węglik krzemu (SiC) i podobnych. Orientometr rentgenowski – Dwa identyczne urządzenia. Wymagania dotyczące orientometru rentgenowskiego: • Orientometr rentgenowski zaprojektowany specjalnie do pomiarów podłoży lub kryształów objętościowych, takich jak azotek galu (GaN), węglik krzemu (SiC) i podobnych. • Dedykowany termiczny agregat chłodzący do orientometru rentgenowskiego • Pojedynczy pomiar do przetwarzania podłoży lub kryształów objętościowych. • Możliwość pomiaru podłoży lub kryształów objętościowych do 110 mm i maksymalnej wadze 25 kg. • Możliwość pomiaru płaskiego położenia w 4 kierunkach (góra, dół, lewo, prawo). • Możliwość pomiaru różnych orientacji podłoży i kryształów. • Pomiar ręczny. • Pozycja wiązki promieniowania rentgenowskiego w odległości 70 mm od płyty nośnej. • Dokładność: ±0,02° • Powtarzalność: < 0,02° • Wysokość wiązki od podstawy (70 mm) Powierzchnia pomiarowa : - Wymiary mniej niż: 1,8 m (szer.) x 1,2 m (gł.) x 1,2 m (wys.) - Waga: mniej niż 500 kg Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZ ENGLISH VERSION The subject of the order is: Delivery of a set of two X-ray orientometers specifically designed for measuring substrates or bulk crystals such as gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC) and the like. X-ray orientometer – two identical devices. Requirements for X-ray orientometer: • X-ray orientometer designed especially for wafer or ingot measurements such as gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC) and similar. • Dedicated thermal cooling unit for X-ray orientometer. • Single measurement to process wafers or ingots one at time. • Capable to measure wafer or ingot up to 110mm and maximum weight 25kG. • Capable to measure flat position in 4 directions (up, down, left, right). • Capable to measure different wafer and ingot orientation. • Manual system measurement. • X-ray beam position at 70mm of the carrier plate. • Accuracy : ±0,02° • Repeatability : < 0,02° • Beam height from base (70 mm) Footprint : • Footprint less than : 1,8m (W) x 1,2m (D) x 1,2m (H) • Weight : less than 500 Kg A detailed description of the subject of the order can be found in point 3 of the TOR